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02 / TIA LITERATURE

An Analog-Front-End with Ultra Low-Power in Optical Sensor for FMCW LiDAR System

TIAAPCCAS2025组员文献
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作者与单位: 见论文原文首页(下方已附前三页原图)

会议: IEEE APCCAS 2025
DOI: https://doi.org/10.1109/APCCAS67402.2025.11376775
原文: paper.pdf

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核心参考量

维度 信息
应用场景 FMCW LiDAR光接收机;自动驾驶/3D成像
是否实测
工艺节点 28
前端架构 SF-TIA + input DC current cancellation(IDCC) + fully differential post-amplifier + 50 Ω output buffer
关键性能条件 实测5 µApp、CPD=1 pF;通带1 kHz–130 MHz;30 m光学系统误差0.75%
可参考程度 ★★★★★

设计挑战

  • 应用约束:FMCW LiDAR光接收机;自动驾驶/3D成像。
  • 核心电路矛盾:传统SF-TIA在大DC背景下会消耗摆幅且不易兼顾低噪声。本文以低带宽IDCC先取消0–100µA DC,再由SF-TIA放大AC小信号;把基线处理与信号放大分开。
  • 指标与实现约束:实测5 µApp、CPD=1 pF;通带1 kHz–130 MHz;30 m光学系统误差0.75%。这些数值必须同时结合输入电容、输出负载、供电与验证频率判断,不能只比较单个峰值指标。

架构创新点

1. 前端拓扑

SF-TIA + input DC current cancellation(IDCC) + fully differential post-amplifier + 50 Ω output buffer。该拓扑决定输入阻抗、反馈环路和主要噪声源,也是判断能否迁移到阵列读出的第一层依据。

2. 关键机制

MB提升输出阻抗/开环增益;低带宽IDCC抵消0–100 µA DC;Miller CP+RP补偿;343 µW超低功耗

3. 与传统方案的差异

传统SF-TIA在大DC背景下会消耗摆幅且不易兼顾低噪声。本文以低带宽IDCC先取消0–100µA DC,再由SF-TIA放大AC小信号;把基线处理与信号放大分开。

性能与证据

项目 判断
工艺 28
验证方式
关键性能 实测5 µApp、CPD=1 pF;通带1 kHz–130 MHz;30 m光学系统误差0.75%
证据等级 芯片实测,证据等级较高
参考程度 ★★★★★

原文摘要证据:This paper presents an analog front-end (AFE) I. I NTRODUCTION designed for an optical receiver in a frequency-modulated con- tinuous wave (FMCW) light detection and ranging (LiDAR) Light Detection and Ranging (LiDAR) systems have system. To achieve high linearity and low noise, a shunt feedback rapidly emerged as a promising solution for applications such transimpedance amplifier (SF-TIA) is proposed with an input as autonomous vehicles and 3D imaging technologies [1]. In DC current cancellation (IDCC) circuit, followed by a post- particular, Frequency-Modulated Continuous Wave (FMCW) amplifier (PA) and a 50 Ω output buffer. The measurement LiDAR has several advantages compared to direct Time-of- results, implemented in a 28-nm CMOS process with a 1 V supply, demonstrate an AFE gain of approximately 85.5 dBΩ, a Flight (dToF) LiDAR. FMCW LiDAR offers high resolution, bandwidth of 130 MHz, an acceptable input DC current√ range of sign...

与 SOTA 对比

  • 比较重点:优先比较相同输入电容、相同带宽定义和相同输出负载下的增益、噪声、线性度与功耗。
  • 本文优势:MB提升输出阻抗/开环增益;低带宽IDCC抵消0–100 µA DC;Miller CP+RP补偿;343 µW超低功耗
  • 主要限制:未给出phase margin、线性度或CPD扫描
  • 口径提醒:会议论文中仿真值、后仿值和芯片实测值不可直接混排;未在正文报告的指标不作推算排名。

NS-RAM / CIM 适配判断

适合存在共模/漏电/背景电流的NS-RAM阵列;可优先评估低带宽DC cancellation支路对读出噪声和校准时间的影响。

迁移到 NS-RAM 时仍需重新确定列线电容、最小/最大读电流、允许建立时间、输出摆幅和 ADC 满量程,并据此重算反馈元件与环路稳定性。

核心优势与局限

核心优势:MB提升输出阻抗/开环增益;低带宽IDCC抵消0–100 µA DC;Miller CP+RP补偿;343 µW超低功耗

主要局限:未给出phase margin、线性度或CPD扫描

结论:该文适合作为“SF-TIA + input DC current cancellation(IDCC) + fully differential post-amplifier + 50 Ω output buffer”路线的参考,但不能脱离其原始应用和负载条件直接套用指标。

论文原图

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