02 / TIA LITERATURE
A BW-Extended Multi-Band Receiver with High-Order N-Path Filtering at RF Front-End and BB Achieving 200MHz BW and 36.5dBm OB-IIP3
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作者与单位: 见论文原文首页（下方已附前三页原图）
会议: IEEE ISCAS 2025
DOI: https://doi.org/10.1109/iscas56072.2025.11043245
原文: paper.pdf
核心参考量
| 维度 | 信息 |
|---|---|
| 应用场景 | 多频带RF接收机；BB TIA参与滤波 |
| 是否实测 | Simulation only |
| 工艺节点 | 65 |
| 前端架构 | LNTA + N-path filter + BB transimpedance amplifier |
| 关键性能条件 | 0.5-2 GHz多频段 |
| 可参考程度 | 低相关 |
设计挑战
- 应用约束：多频带RF接收机；BB TIA参与滤波。
- 核心电路矛盾：TIA嵌入N-path滤波和多频带接收链，差异在于把选择性滤波与BB跨阻级协同设计，而非直接改进直流电流读出TIA。
- 指标与实现约束：0.5-2 GHz多频段。这些数值必须同时结合输入电容、输出负载、供电与验证频率判断，不能只比较单个峰值指标。
架构创新点
1. 前端拓扑
LNTA + N-path filter + BB transimpedance amplifier。该拓扑决定输入阻抗、反馈环路和主要噪声源，也是判断能否迁移到阵列读出的第一层依据。
2. 关键机制
高阶N-path滤波+BB TIA扩展带宽/带外线性
3. 与传统方案的差异
TIA嵌入N-path滤波和多频带接收链，差异在于把选择性滤波与BB跨阻级协同设计，而非直接改进直流电流读出TIA。
性能与证据
| 项目 | 判断 |
|---|---|
| 工艺 | 65 |
| 验证方式 | Simulation only |
| 关键性能 | 0.5-2 GHz多频段 |
| 证据等级 | 仿真或后仿，证据等级中等 |
| 参考程度 | 低相关 |
原文摘要证据：This work presents a radio-frequency (RF) and power consumption (78mW). In addition, [4] enhance OB blocker-tolerant multi-band (0.5 to 2GHz) receiver to achieve attenuation by introducing complex poles to achieve - both wide passband bandwidth (BW) and sharp out-of-band (OB) 40dB/decade roll-off slope, but the passband BW is only attenuation at near-by frequency. At RF front-end, it features the 20MHz and also with high power consumption (179mW). In combination of the 4th-order N-path low-noise transconductance this work, we report a multi-band RF receiver by featuring both amplifier (LNTA) and the bottom-plate N-path filter, while at wide passband BW and sharp near-by roll-off slope. It employs baseband (BB) it introduces the 3rd-order N-path lowpass filter a high-order N-path RF front-end (a 4th-order N-path LNTA and 2nd-order BB trans-impedance amplifier (TIA). Besides, a and a bottom-plate N-path filter) to provide high-Q bandpa...
与 SOTA 对比
- 比较重点：优先比较相同输入电容、相同带宽定义和相同输出负载下的增益、噪声、线性度与功耗。
- 本文优势：高阶N-path滤波+BB TIA扩展带宽/带外线性
- 主要限制：只保留作低相关
- 口径提醒：会议论文中仿真值、后仿值和芯片实测值不可直接混排；未在正文报告的指标不作推算排名。
NS-RAM / CIM 适配判断
只可参考带外干扰抑制的系统策略；对NS-RAM阵列读出相关性低。
迁移到 NS-RAM 时仍需重新确定列线电容、最小/最大读电流、允许建立时间、输出摆幅和 ADC 满量程，并据此重算反馈元件与环路稳定性。
核心优势与局限
核心优势：高阶N-path滤波+BB TIA扩展带宽/带外线性
主要局限：只保留作低相关
结论：该文适合作为“LNTA + N-path filter + BB transimpedance amplifier”路线的参考，但不能脱离其原始应用和负载条件直接套用指标。
论文原图
